Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники

Сентябрь 9, 2022

Главная
Химия
Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники

Содержание

2. Мотивация исследований Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей прямозонности и ширины запрещенной
3. Содержание 1. История получения нитрида индия 2. Кристаллическая структура InN 3. Подложки и буферы 4. Зонная
4. 1.История получения Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году. Порошок InN из InF6(NH4)3
5. 1.История получения Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных электронов ( 2000см2/(В·с)) имеет
6. 2. Структура типа вюрцита В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в термодинамически стабильной гексагональной фазе
7. 2. Структура типа цинковой обманки Также сообщалось о выращивание InN c кубической структурой цинковой обманки методом
8. Сравнение вюрцита и сфалерита Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой обманке (б).
9. 3. Подложки и буферы.
10. 4. Зонная структура
11. 4. Зонная структура
12. 5. Коэффициент поглощения
13. 5. Спектры фотовозбуждения InN.
14. Обработка спектров фотовозбуждения InN.
15. Спасибо за внимание.
16. Список литературы Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and perspectives. J. Appl. Phys.
17. Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости
18. Кинетика фотопроводимости InN T=294 K ~20 нс
19. Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion” PL, a.u.
20. Кинетика фотолюминесценции.
21. Спектр и время релаксации фотолюминесценции. σ=e*n*τ/me Δσ=e*Δn*τ/me Δσ/σ=ΔR/R
23. Скачать презентацию

Слайд 2

Мотивация исследований
Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей

прямозонности и ширины запрещенной способны эффективно работать в диапазоне от инфракрасной до ультрафиолетовой области. В частности нитрид индия, имея ширину запрещенной зоны 0.6 эВ, является перспективным для создания излучателя, работающего в телевизионных оптических линиях связи, а также инфракрасных детекторов и лазеров.
На данный момент технология роста чистого нитрида индия находиться в развитии. Самые хорошие образцы имеют концентрацию свободных носителей порядка 1017см-3 и являются вырожденными. Это создает проблему в изучении его фотоэлектрических свойств.
Большинство данных об его оптических и фотовольтаических свойствах и теорий об структуре образцов противоречивы.

Слайд 3

Содержание
1. История получения нитрида индия
2. Кристаллическая структура InN
3. Подложки и буферы
4.

Зонная структура
5. Спектры поглощения, ФЛ и ФП.

Слайд 4

1.История получения
Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году.

Порошок InN из InF6(NH4)3
Самый ранний успех в росте InN с хорошими электрическими свойствами: Hovel и Cuomo в 1972. Пленки поликристаллического n-InN на сапфировых подложках. Метод реактивного высокочастотного распыления. Концентрация свободных носителей (5-8)*1018см-3 подвижность 250 ± 50 см2/(В·с).
Трейнор и Роуз сообщили, что InN прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1,7 эВ.

Слайд 5

1.История получения
Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных

электронов (< 1018см-3) и высокой подвижности электронов (>2000см2/(В·с)) имеет важное значение для прогресса в понимании свойств этого материала. При комнатной температуре фундаментальная запрещенная зона этого типа высококачественного InN измерялась около 1,5 и 1,1 эВ, 0,9 эВ, 0,77 эВ, 0,7-1,0 эВ, 0,7 эВ и, наконец, измерения пришли к 0,64.
Сейчас пленки InN более высокого качества выращиваются с помощью методов MBE и MOCVD.

Слайд 6

2. Структура типа вюрцита
В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в

термодинамически стабильной гексагональной фазе вюрцита.
a=0.3533 нм; c=0.5693 нм

Слайд 7

2. Структура типа цинковой обманки
Также сообщалось о выращивание InN c кубической

структурой цинковой обманки методом MBE.
a=0.498 нм

Слайд 8

Сравнение вюрцита и сфалерита
Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой

обманке (б).

Слайд 9

3. Подложки и буферы.

Слайд 10

4. Зонная структура

Слайд 11

4. Зонная структура

Слайд 12

5. Коэффициент поглощения

Слайд 13

5. Спектры фотовозбуждения InN.

Слайд 14

Обработка спектров фотовозбуждения InN.

Слайд 15

Спасибо за внимание.

Слайд 16

Список литературы
Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and

perspectives. J. Appl. Phys. 106, 011101 (2009)
Ashraful Ghani Bhuiyan, Akihiro Hashimoto, and Akio Yamamoto. Indium nitride (InN): A review on growth, characterization, and properties. J. Appl. Phys. 94, 2779 (2003)
В.Ю.Давыдов, А.А.Клочихин, ФТП 38, 897 (2004)

Слайд 17

Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости

Слайд 18

Кинетика фотопроводимости InN
T=294 K
~20 нс

Слайд 19

Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion”
PL, a.u.

Слайд 20

Кинетика фотолюминесценции.

Слайд 21

Нитрид индия – новый материал для оптоэлектроники

Содержание

Мотивация исследованийВозрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей

Содержание1. История получения нитрида индия2. Кристаллическая структура InN3. Подложки и буферы4.

1.История полученияПервая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году.

1.История полученияРост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных

2. Структура типа вюрцитаВ обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в

2. Структура типа цинковой обманкиТакже сообщалось о выращивание InN c кубической

Сравнение вюрцита и сфалерита Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой

3. Подложки и буферы.

4. Зонная структура

4. Зонная структура

5. Коэффициент поглощения

5. Спектры фотовозбуждения InN.

Обработка спектров фотовозбуждения InN.

Спасибо за внимание.

Список литературыJunqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and

Схема измерения спектров и кинетики фотопроводимости

Кинетика фотопроводимости InNT=294 K~20 нс

Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion”PL, a.u.

Кинетика фотолюминесценции.

Спектр и время релаксации фотолюминесценции.σ=e*n*τ/meΔσ=e*Δn*τ/meΔσ/σ=ΔR/R

Похожие презентации

Мотивация исследований
Возрастающий интерес к нитридам III группы, которые за счет своей

Содержание
1. История получения нитрида индия
2. Кристаллическая структура InN
3. Подложки и буферы
4.

1.История получения
Первая попытка синтеза InN: Juza и Hahn в 1938 году.

1.История получения
Рост толстых пленок InN с гораздо более низкой концентрацией свободных

2. Структура типа вюрцита
В обычных условиях нитриды III группы кристаллизуются в

2. Структура типа цинковой обманки
Также сообщалось о выращивание InN c кубической

Сравнение вюрцита и сфалерита
Взаиморасположение атомов в вюрците (а) и цинковой

Список литературы
Junqiao Wu. When group-III nitrides go infrared: New properties and

Кинетика фотопроводимости InN
T=294 K
~20 нс

Схема измерения кинетики фотолюминесценции InN методом “up-conversion”
PL, a.u.

Спектр и время релаксации фотолюминесценции.
σ=enτ/me
Δσ=eΔnτ/me
Δσ/σ=ΔR/R