Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике

Сентябрь 6, 2022

Главная
Астрономия
Использование полупроводниковых фотоприемников в космической технике

Содержание

2. Дистанционное зондирование Земли Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли
3. Окна прозрачности в атмосфере Явление обусловлено, в основном, воздействием молекулярного поглощения атмосферы. Поглощение ИК-излучения на многих
4. Строение кристаллической решетки Si Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния (Si) [1] Рисунок 4
5. Оптические переходы в полупроводниках Рисунок 5 – Оптические переходы в полупроводниках
6. Ширина защищенной зоны полупроводниковых материалов
7. Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов Рисунок 6 – Структура энергетических зон Ge, Si, GaAs
8. Зонная структура раствора CdHgTe Рисунок 7 – Ширина запрещенной зоны в зависимости от состава Hg/CdTe при
9. Фотоприемники на основе ПЗС Рисунок 9 – Матричный ПЗС со строчным переносом (схема подключения) Рисунок 8
10. Список источников 1 Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Знакомство с полупроводниками / Под ред. Л.Г. Асламазова. –
12. Скачать презентацию

Слайд 2

Дистанционное зондирование Земли
Рисунок 1 – Дистанционное зондирование Земли

Слайд 3

Окна прозрачности в атмосфере
Явление обусловлено, в основном, воздействием молекулярного поглощения атмосферы.
Поглощение

ИК-излучения на многих участках спектра практически полное. Поэтому говорят о прохождении ИК-излучения в атмосфере только в некоторых окнах прозрачности. «Окнам «соответствуют интервалы длин волн ИК-излучения:
λ=0,95 – 1,05 мкм;
λ=1,15 – 1,35 мкм;
λ=1,5 – 1,8 мкм;
λ=2,1 – 2,4 мкм;
λ=3,3 – 4,2 мкм;
λ=4,5 – 5,1 мкм;
λ=8 – 13 мкм.

Рисунок 2 – Спектр пропускания земной атмосферы

Слайд 4

Строение кристаллической решетки Si
Рисунок 3 – Схематическое изображение кристаллической решетки кремния

(Si) [1]

Рисунок 4 – Схема включения донорной примеси

Слайд 5

Оптические переходы в полупроводниках
Рисунок 5 – Оптические переходы в полупроводниках

Слайд 6

Ширина защищенной зоны полупроводниковых материалов

Слайд 7

Строение зонной структуры основных полупроводниковых материалов
Рисунок 6 – Структура энергетических зон

Ge, Si, GaAs

Слайд 8

Зонная структура раствора CdHgTe
Рисунок 7 – Ширина запрещенной зоны в

зависимости от состава Hg/CdTe при 300K [2]

Слайд 9

Фотоприемники на основе ПЗС
Рисунок 9 – Матричный ПЗС со строчным переносом

(схема подключения)

Рисунок 8 – Матричный ПЗС со строчным переносом

Слайд 10

Список источников
1 Левинштейн М.Е., Симин Г.С. Знакомство с полупроводниками / Под

ред. Л.Г. Асламазова. – М.: Наука, 1984.
2 Мосс Т., Баррел Г., Эллис Б. Полупроводниковая оптоэлектроника М.: Мир, 1976